4 انچ نيم بي عزتي ڪندڙ سي سي ويفرز HPSI SiC سبسٽريٽ پرائم پروڊڪشن گريڊ
پيداوار جي وضاحت
Silicon carbide (SiC) هڪ مرڪب سيميڪنڊڪٽر مواد آهي جيڪو عناصر ڪاربن ۽ سلڪون مان ٺهيل آهي، ۽ اهو هڪ مثالي مواد آهي جيڪو اعليٰ درجه حرارت، اعليٰ تعدد، اعليٰ طاقت ۽ اعليٰ وولٽيج ڊوائيسز ٺاهڻ لاءِ آهي. روايتي سلڪون مواد (Si) جي مقابلي ۾، سلڪون ڪاربائيڊ جي منع ٿيل بينڊ جي چوٽي سلکان جي ٽي دفعا آهي؛ حرارتي چالکائي سلکان جي ڀيٽ ۾ 4-5 ڀيرا آهي؛ بريڪ ڊائون وولٹیج سلکان جي ڀيٽ ۾ 8-10 ڀيرا آهي؛ ۽ اليڪٽران سنترپشن drift جي شرح سلکان جي ڀيٽ ۾ 2-3 ڀيرا آهي، جيڪا جديد صنعت جي ضرورتن کي پورو ڪري ٿي اعلي طاقت، اعلي وولٹیج، ۽ اعلي فريڪوئنسي لاء، ۽ اهو خاص طور تي تيز رفتار، تيز رفتار ٺاهڻ لاء استعمال ڪيو ويندو آهي. فریکوئنسي، تيز طاقت ۽ روشنيءَ جي خارج ڪرڻ وارا اليڪٽرانڪ جزا، ۽ ان جي هيٺئين دڙي جي ايپليڪيشن وارن علائقن ۾ سمارٽ گرڊ، نيو انرجي گاڏيون، فوٽووولٽڪ ونڊ پاور، 5G ڪميونيڪيشن وغيره. پاور ڊوائيسز جي شعبي ۾، سلکان ڪاربائيڊ ڊيوڊس ۽ MOSFETs تجارتي طور تي لاڳو ٿيڻ شروع ٿي ويا آهن.
SiC wafers/SiC substrate جا فائدا
اعلي درجه حرارت مزاحمت. سلکان ڪاربائيڊ جي منع ٿيل بينڊ ويٿ سلکان جي ڀيٽ ۾ 2-3 ڀيرا آهي، تنهن ڪري اليڪٽرانن کي گهٽ درجه حرارت تي ٽپو ڏيڻ جو امڪان آهي ۽ وڌيڪ آپريٽنگ گرمي پد کي برداشت ڪري سگهي ٿو، ۽ سلڪون ڪاربائيڊ جي حرارتي چالکائي سلکان جي ڀيٽ ۾ 4-5 ڀيرا آهي. اهو ڊوائيس مان گرمي کي ختم ڪرڻ آسان بڻائي ٿو ۽ اعلي حد تائين آپريٽنگ گرمي پد جي اجازت ڏئي ٿو. تيز گرمي پد جون خاصيتون خاص طور تي طاقت جي کثافت کي وڌائي سگهن ٿيون، جڏهن ته گرمي جي خارج ٿيڻ واري نظام جي گهرج کي گھٽائي، ٽرمينل کي وڌيڪ ہلڪو وزن ۽ ننڍو ٺاهيندي.
هاء وولٹیج مزاحمت. سلکان ڪاربائيڊ جي بريڪ ڊائون فيلڊ طاقت سلکان جي ڀيٽ ۾ 10 ڀيرا وڌيڪ آهي، ان کي وڌيڪ وولٽيجز کي منهن ڏيڻ جي قابل بڻائي، ان کي وڌيڪ وولٽيج ڊوائيسز لاء وڌيڪ موزون بڻائي ٿو.
اعلي تعدد مزاحمت. سلڪون ڪاربائڊ وٽ سلڪون جي سنترپشن اليڪٽران ڊرفٽ جي شرح کان ٻه ڀيرا آهي، جنهن جي نتيجي ۾ ان جي ڊوائيس بند ڪرڻ واري عمل ۾ موجوده ڇڪڻ واري رجحان ۾ موجود نه آهن، موثر طريقي سان ڊوائيس سوئچنگ فریکوئنسي کي بهتر ڪري سگھن ٿيون، ڊوائيس جي ننڍي ڪرڻ کي حاصل ڪرڻ لاء.
گھٽ توانائي جو نقصان. Silicon carbide هڪ تمام گهٽ تي-مزاحمت آهي silicon مواد جي مقابلي ۾، گهٽ conduction نقصان؛ ساڳئي وقت، سلکان ڪاربائڊ جي اعلي بينڊوڊٿ خاص طور تي رسي جي موجوده، طاقت جي نقصان کي گھٽائي ٿي؛ ان کان علاوه، بند ڪرڻ واري عمل ۾ سلکان ڪاربائڊ ڊوائيسز موجوده ڇڪڻ واري رجحان ۾ موجود نه آهن، گهٽ سوئچنگ نقصان.
تفصيلي خاڪو
