8 انچ 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy ريسرچ گريڊ
ان جي منفرد جسماني ۽ اليڪٽرانڪ ملڪيت جي ڪري، 200mm SiC ويفر سيميڪنڊڪٽر مواد استعمال ڪيو ويندو آهي اعلي ڪارڪردگي، تيز گرمي، تابڪاري مزاحمتي، ۽ اعلي تعدد برقي ڊوائيسز ٺاهڻ لاء.8 انچ سي سي سبسٽريٽ جي قيمت آهستي آهستي گهٽجي رهي آهي جيئن ٽيڪنالاجي وڌيڪ ترقي يافته ٿئي ٿي ۽ گهرج وڌي ٿي.تازي ٽيڪنالاجي ترقيات 200mm سي سي ويفرز جي پيداوار جي پيماني تي پيداوار جي ڪري ٿي.SiC wafer سيميڪنڊڪٽر مواد جا بنيادي فائدا Si ۽ GaAs wafers جي مقابلي ۾: 4H-SiC جي برقي فيلڊ جي طاقت برفاني طوفان جي ڀڃڪڙي دوران سي ۽ GaAs لاءِ لاڳاپيل قدرن کان وڌيڪ مقدار جي آرڊر کان وڌيڪ آھي.هن جي ڪري هڪ اهم گهٽتائي تي رياست resistivity Ron.گھٽ تي رياستي مزاحمت، اعلي موجوده کثافت ۽ حرارتي چالکائي سان گڏ، پاور ڊوائيسز لاء تمام ننڍڙو مرڻ جي استعمال جي اجازت ڏئي ٿي.سي سي جي اعلي حرارتي چالکائي چپ جي حرارتي مزاحمت کي گھٽائي ٿي.SiC wafers جي بنياد تي ڊوائيسز جي اليڪٽرانڪ ملڪيت وقت تي ۽ مستحڪم حرارت تي تمام مستحڪم آهن، جيڪي مصنوعات جي اعلي اعتبار کي يقيني بڻائي ٿو.سلڪون ڪاربائيڊ سخت تابڪاري جي خلاف انتهائي مزاحمتي آهي، جيڪا چپ جي برقي ملڪيت کي خراب نه ڪندي آهي.ڪرسٽل جي اعلي حد تائين آپريٽنگ گرمي پد (6000C کان وڌيڪ) توهان کي سخت آپريٽنگ حالتن ۽ خاص ايپليڪيشنن لاء انتهائي قابل اعتماد ڊوائيسز ٺاهڻ جي اجازت ڏئي ٿي.هن وقت، اسان ننڍڙي بيچ 200mmSiC ويفرز کي مسلسل ۽ مسلسل فراهم ڪري سگهون ٿا ۽ گودام ۾ ڪجهه اسٽاڪ آهي.
تفصيل
| نمبر | شيءِ | يونٽ | پيداوار | تحقيق | ڊمي |
| 1. پيرا ميٽر | |||||
| 1.1 | پوليٽائپ | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | سطح جي رخ | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. اليڪٽريڪل پيٽرول | |||||
| 2.1 | ڊاپنٽ | -- | n-نائيٽروجن جو قسم | n-نائيٽروجن جو قسم | n-نائيٽروجن جو قسم |
| 2.2 | مزاحمت | ohm ·cm | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. ميڪيڪل پيٽرولر | |||||
| 3.1 | قطر | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | ٿولهه | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | نقطي جو رخ | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | کوٽائي جي کوٽائي | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | ٽي وي | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | ڪنڌ | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | وارپ | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | اي ايف ايم | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. ٺھيل | |||||
| 4.1 | مائڪرو پائپ جي کثافت | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ڌاتو مواد | ايٽم/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | ٽي ايس ڊي | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | بي پي ڊي | ea/cm2 | ≤ 2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | ٽيڊ | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. مثبت معيار | |||||
| 5.1 | سامهون | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | مٿاڇري ختم | -- | سي ايم پي جو منهن | سي ايم پي جو منهن | سي ايم پي جو منهن |
| 5.3 | ذرو | ea/wafer | ≤100(سائز≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | ڇڪڻ | ea/wafer | ≤5، ڪل ڊگھائي≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | کنڊ چپس/انڊينٽ/ درگاه/ داغ/ آلودگي | -- | ڪو به | ڪو به | NA |
| 5.6 | Polytype علائقن | -- | ڪو به | ايراضي ≤ 10٪ | ايراضي ≤30% |
| 5.7 | سامهون نشان لڳائڻ | -- | ڪو به | ڪو به | ڪو به |
| 6. واپس معيار | |||||
| 6.1 | واپس ختم | -- | سي منهن ايم پي | سي منهن ايم پي | سي منهن ايم پي |
| 6.2 | ڇڪڻ | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | پٺيءَ جي خرابين جي ڪنڊ چپس / اشارا | -- | ڪو به | ڪو به | NA |
| 6.4 | پٺيءَ جي خرابي | nm | را≤5 | را≤5 | را≤5 |
| 6.5 | پوئتي نشان ھڻڻ | -- | نشان | نشان | نشان |
| 7. کنڊ | |||||
| 7.1 | ڪنڊ | -- | چمفر | چمفر | چمفر |
| 8. پيڪيج | |||||
| 8.1 | پيڪنگنگ | -- | Epi-تياري سان خلا سان پيڪنگنگ | Epi-تياري سان خلا سان پيڪنگنگ | Epi-تياري سان خلا سان پيڪنگنگ |
| 8.2 | پيڪنگنگ | -- | گھڻائي وارو ڪيسٽ پيڪنگنگ | گھڻائي وارو ڪيسٽ پيڪنگنگ | گھڻائي وارو ڪيسٽ پيڪنگنگ |
تفصيلي خاڪو
