6 انچ HPSI SiC سبسٽرٽ ويفر سلکان ڪاربائيڊ نيم بي عزتي ڪندڙ سي سي ويفر

سي سي سنگل ڪرسٽل لاءِ موجوده ترقي جي طريقن ۾ خاص طور تي ھيٺيون ٽي شامل آھن: مائع مرحلو طريقو، تيز گرمي پد جي ڪيميائي وانپ جمع ڪرڻ جو طريقو، ۽ فزيڪل وانپ فيز ٽرانسپورٽ (PVT) طريقو.انهن مان، PVT طريقو سي سي سنگل ڪرسٽل جي ترقي لاء سڀ کان وڌيڪ تحقيقي ۽ بالغ ٽيڪنالاجي آهي، ۽ ان جي ٽيڪنيڪل مشڪلاتون آهن:

(1) بند ٿيل گريفائٽ چيمبر جي مٿان 2300 ° C جي تيز گرمي پد تي SiC سنگل ڪرسٽل "سولڊ - گيس - سولڊ" تبادلي جي بحالي واري عمل کي مڪمل ڪرڻ لاءِ، ترقي جو چڪر ڊگهو آهي، ڪنٽرول ڪرڻ ڏکيو آهي، ۽ مائڪرو ٽيوبولز، شموليت ۽ شامل ٿيڻ جو خطرو آهي. ٻيا عيب.

(2) سلکان ڪاربائيڊ سنگل ڪرسٽل، جنهن ۾ 200 کان وڌيڪ مختلف کرسٽل جا قسم شامل آهن، پر عام طور تي صرف هڪ ڪرسٽل جي قسم جي پيداوار، ترقي جي عمل ۾ ڪرسٽل جي قسم جي تبديلي پيدا ڪرڻ ۾ آسان آهي، جنهن جي نتيجي ۾ ملٽي قسم جي شموليت جي خرابين، هڪ واحد جي تياري جو عمل. مخصوص ڪرسٽل قسم جي عمل جي استحڪام کي ڪنٽرول ڪرڻ ڏکيو آهي، مثال طور، 4H-قسم جو موجوده مکيه وهڪرو.

(3) سلڪون ڪاربائيڊ سنگل ڪرسٽل جي واڌ واري حرارتي ميدان ۾ گرمي پد جو درجو هوندو آهي، جنهن جي نتيجي ۾ ڪرسٽل جي واڌ جي عمل ۾ هڪ مقامي اندروني دٻاءُ هوندو آهي ۽ ان جي نتيجي ۾ خرابيون، نقص ۽ ٻيا نقص پيدا ٿيندا آهن.

(4) Silicon carbide سنگل کرسٽل جي واڌ جي عمل کي سختي سان بيروني impurities جي تعارف کي ڪنٽرول ڪرڻ جي ضرورت آهي، ته جيئن هڪ تمام اعلي پاڪائي نيم-انسوليٽنگ کرسٽل يا سڌي طرح doped conductive ڪرسٽل حاصل ڪرڻ لاء.آر ايف ڊيوائسز ۾ استعمال ٿيندڙ سيمي انسوليٽنگ سلڪون ڪاربائيڊ سبسٽراٽس لاءِ، بجليءَ جي خاصيتن کي حاصل ڪرڻ جي ضرورت آهي تمام گهٽ ناپاڪي ڪنسنٽريشن ۽ مخصوص قسم جي پوائنٽن جي خرابين کي ڪنٽرول ڪندي ڪرسٽل ۾.