4H-N/6H-N SiC ويفر ريسرچ پيداوار ڊمي گريڊ Dia150mm سلکان ڪاربائڊ سبسٽريٽ
6 انچ قطر سلکان ڪاربائڊ (SiC) سبسٽريٽ جي وضاحت
| گريڊ | صفر ايم پي ڊي | پيداوار | ريسرچ گريڊ | ڊمي گريڊ |
| قطر | 150.0mm ± 0.25mm | |||
| ٿلهو | 4 ايڇ-ن | 350um±25um | ||
| 4H-SI | 500um±25um | |||
| ويفر اورينٽيشن | محور تي: <0001>±0.5° 4H-SI لاءِ | |||
| پرائمري فليٽ | {10-10}±5.0° | |||
| پرائمري فليٽ ڊگھائي | 47.5mm ± 2.5mm | |||
| کنڊ جي خارج ٿيڻ | 3mm | |||
| TTV/Bow/Warp | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
| مائڪروپائپ جي کثافت | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
| مزاحمتي 4H-N 4H-SI | 0.015~ 0.028Ω! سينٽ | |||
| ≥1E5Ω!cm | ||||
| سختي | پولش را ≤1nm CMP Ra≤0.5nm | |||
| # تيز شدت واري روشني سان ٽڪر | ڪو به | 1 اجازت ڏني وئي، ≤2mm | مجموعي ڊگھائي ≤10mm، اڪيلو ڊگھائي≤2mm | |
| * هيڪس پليٽ تيز شدت جي روشني سان | مجموعي علائقو ≤1٪ | مجموعي علائقو ≤ 2٪ | مجموعي علائقو ≤ 5% | |
| * اعلي شدت جي روشني سان پوليٽائپ علائقن | ڪو به | مجموعي علائقو ≤ 2٪ | مجموعي علائقو ≤ 5% | |
| * ۽ تيز شدت واري روشني سان اسڪريچ | 3 سکريچز تائين 1 x ويفر قطر جي مجموعي ڊگھائي | 5 سکريچ کان 1 x ويفر قطر جي مجموعي ڊگھائي | 5 اسڪراچ تائين 1 x ويفر قطر جي مجموعي ڊگھائي | |
| ڪنڊ چپ | ڪو به | 3 اجازت ڏني وئي، ≤0.5mm هر هڪ | 5 اجازت ڏني وئي، ≤1mm هر هڪ | |
| تيز شدت جي روشني سان آلودگي | ڪو به
| |||
سيلز ۽ ڪسٽمر سروس
مواد جي خريداري
مواد جي خريداري کاتي جو ذميوار آهي توهان جي پيداوار جي پيداوار لاء گهربل سڀئي خام مال گڏ ڪرڻ.ڪيميائي ۽ جسماني تجزيي سميت سڀني شين ۽ مواد جي مڪمل پيچيدگي هميشه موجود آهن.
ڪيفيت
توهان جي شين جي پيداوار يا مشين جي دوران ۽ بعد ۾، معيار ڪنٽرول ڊپارٽمينٽ انهي ڳالهه کي يقيني بڻائڻ ۾ ملوث آهي ته سڀئي مواد ۽ رواداري توهان جي وضاحتن سان ملن ٿا يا ان کان وڌيڪ.
خدمت
اسان پاڻ کي فخر ڪريون ٿا سيلز انجنيئرنگ اسٽاف سان گڏ 5 سالن کان وڌيڪ تجربن سان گڏ سيمي ڪنڊڪٽر انڊسٽري ۾.انهن کي تربيت ڏني وئي آهي ٽيڪنيڪل سوالن جا جواب ڏيڻ سان گڏ توهان جي ضرورتن لاءِ بروقت ڪوٽا فراهم ڪرڻ.
اسان توهان جي پاسي تي آهيون ڪنهن به وقت جڏهن توهان کي مسئلو آهي، ۽ ان کي 10 ڪلاڪن ۾ حل ڪريو.
تفصيلي خاڪو
