4 انچ اعلي پاڪائي Al2O3 99.999% سيفائر سبسٽريٽ ويفر Dia101.6×0.65mmt پرائمري فليٽ ڊگھائي سان
وصف
4-انچ سيفائر ويفرز جون عام وضاحتون ھيٺ ڏنل آھن:
ٿولهه: عام سفائر ويفرن جي ٿولهه 0.2 ملي ايم ۽ 2 ملي ميٽر جي وچ ۾ آهي، ۽ مخصوص ٿولهه ڪسٽمر جي ضرورتن مطابق ترتيب ڏئي سگهجي ٿي.
Placement Edge: عام طور تي ويفر جي ڪنارن تي ھڪڙو ننڍڙو حصو ھوندو آھي جنھن کي ”Placement Edge“ چئبو آھي جيڪو ويفر جي مٿاڇري ۽ ڪنڊ کي بچائيندو آھي ۽ عام طور تي بيڪار ھوندو آھي.
مٿاڇري جي تياري: عام سيفائر ويفرز مٿاڇري کي هموار ڪرڻ لاءِ مشيني طور تي گرائونڊ ۽ ڪيميائي طريقي سان پالش ڪيا ويندا آهن.
مٿاڇري جا خاصيتون: سفائر ويفرز جي مٿاڇري ۾ عام طور تي سٺي نظرياتي خاصيتون هونديون آهن، جهڙوڪ گهٽ موٽڻ ۽ گهٽ ريفرڪٽري انڊيڪس، ڊوائيس جي ڪارڪردگي کي بهتر ڪرڻ لاء.
درخواستون
● III-V ۽ II-VI مرڪب لاءِ ترقي وارو سبسٽرٽ
● اليڪٽرانڪس ۽ optoelectronics
● IR ايپليڪيشنون
● سلکان آن سيفائر انٽيگريٽيڊ سرڪٽ (SOS)
● ريڊيو فريڪوئنسي انٽيگريڊ سرڪٽ (RFIC)
تفصيل
| شيءِ | 4 انچ سي-جهاز (0001) 650μm سيفائر ويفرز | |
| کرسٽل مواد | 99,999٪، اعلي پاڪائي، Monocrystalline Al2O3 | |
| گريڊ | پرائم، ايپي تيار | |
| مٿاڇري جو رخ | سي-جهاز (0001) | |
| C-جهاز بند زاويه M-axis 0.2 +/- 0.1° ڏانهن | ||
| قطر | 100.0 ملي ايم +/- 0.1 ملي ايم | |
| ٿلهو | 650 μm +/- 25 μm | |
| پرائمري فليٽ اورينٽيشن | A-جهاز (11-20) +/- 0.2° | |
| پرائمري فليٽ ڊگھائي | 30.0 ملي ايم +/- 1.0 ملي ايم | |
| اڪيلو طرف پالش | سامهون واري مٿاڇري | ايپي پالش، Ra <0.2 nm (AFM پاران) |
| (ايس ايس پي) | پوئتي مٿاڇري | سٺي زمين، Ra = 0.8 μm کان 1.2 μm |
| ڊبل سائڊ پالش | سامهون واري مٿاڇري | ايپي پالش، Ra <0.2 nm (AFM پاران) |
| (ڊي ايس پي) | پوئتي مٿاڇري | ايپي پالش، Ra <0.2 nm (AFM پاران) |
| ٽي وي | <20 μm | |
| BOW | <20 μm | |
| وارپ | <20 μm | |
| صفائي / پيڪنگنگ | ڪلاس 100 صاف روم جي صفائي ۽ ويڪيوم پيڪنگنگ، | |
| 25 ٽڪرا ھڪڙي ڪيسٽ پيڪنگنگ يا ھڪڙي پيس پيڪنگنگ ۾. | ||
اسان کي sapphire پروسيسنگ صنعت ۾ تجربو جي ڪيترن ئي سالن جي آهي.جنهن ۾ چيني سپلائر مارڪيٽ، گڏوگڏ بين الاقوامي مطالبن واري منڊي شامل آهي.جيڪڏھن توھان کي ڪا ضرورت آھي، مھرباني ڪري اسان سان رابطو ڪرڻ لاء آزاد ٿيو.
تفصيلي خاڪو
