150mm 200mm 6inch 8inch GaN on Silicon Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer
پيداوار جو طريقو
پيداوار جي عمل ۾ شامل آهي GaN تہن کي سيفائر سبسٽريٽ تي ترقي يافته ٽيڪنالاجي استعمال ڪندي جيئن ته ڌاتو-نامياتي ڪيميائي وانپ جمع (MOCVD) يا ماليڪيولر بيم ايپيٽڪسي (MBE).جمع ڪرڻ وارو عمل ڪنٽرول ٿيل حالتن هيٺ ڪيو ويندو آهي ته جيئن اعلي ڪرسٽل معيار ۽ يونيفارم فلم کي يقيني بڻائي سگهجي.
6inch GaN-on-Sapphire ايپليڪيشنون: 6-inch sapphire substrate چپس وڏي پيماني تي مائڪرو ويڪرو ڪميونيڪيشن، ريڊار سسٽم، وائرليس ٽيڪنالاجي ۽ آپٽو اليڪٽرانڪس ۾ استعمال ٿينديون آهن.
ڪجھ عام ايپليڪيشنون شامل آھن
1. آر ايف پاور ايمپليفائر
2. LED روشني انڊسٽري
3. وائرليس نيٽ ورڪ ڪميونيڪيشن سامان
4. تيز گرمي جي ماحول ۾ اليڪٽرانڪ ڊوائيسز
5. Optoelectronic ڊوائيسز
پيداوار جي وضاحت
-سائيز: ذيلي ذخيري جو قطر 6 انچ (اٽڪل 150 ملي ميٽر) آهي.
- مٿاڇري جو معيار: مٿاڇري کي چڱي طرح پالش ڪيو ويو آهي بهترين آئيني معيار مهيا ڪرڻ لاء.
- ٿولهه: GaN پرت جي ٿولهه مخصوص گهرجن مطابق ترتيب ڏئي سگهجي ٿي.
- پيڪنگنگ: ذيلي ذخيرو احتياط سان مخالف جامد مواد سان ڀريل آهي، ٽرانسپورٽ دوران نقصان کي روڪڻ لاء.
- پوزيشننگ ڪنارن: سبسٽريٽ ۾ مخصوص پوزيشننگ ڪنڊون آهن جيڪي ڊوائيس جي تياري دوران ترتيب ۽ آپريشن کي آسان بڻائي ٿو.
- ٻيا پيٽرولر: مخصوص پيٽرولر جهڙوڪ ٿلهي، مزاحمت ۽ ڊاپنگ ڪنسنٽريشن کي ڪسٽمر جي گهرجن مطابق ترتيب ڏئي سگهجي ٿو.
انهن جي اعليٰ مادي ملڪيتن ۽ متنوع ايپليڪيشنن سان، 6-انچ سيفائر سبسٽريٽ ويفرز مختلف صنعتن ۾ اعليٰ ڪارڪردگي واري سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز جي ترقي لاءِ قابل اعتماد انتخاب آهن.
| ذرو | 6” 1mm <111> p-type Si | 6” 1mm <111> p-type Si |
| Epi ThickAvg | ~ 5 ايم | ~ 7 ايم |
| Epi ThickUnif | <2٪ | <2٪ |
| ڪنڌ | +/-45 ايم | +/-45 ايم |
| ڪڪڙ ڪرڻ | <5mm | <5mm |
| عمودي BV | > 1000V | > 1400V |
| HEMT Al% | 25-35٪ | 25-35٪ |
| HEMT ThickAvg | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG conc. | ~ 1013cm-2 | ~ 1013cm-2 |
| متحرڪ | ~2000cm2/بمقابلي (<2%) | ~2000cm2/بمقابلي (<2%) |
| آرش | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
تفصيلي خاڪو
