100mm 4inch GaN on Sapphire Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer

(1) تيز گرمي پد جي بيڪنگ، سفائر سبسٽريٽ پهريون ڀيرو 1050 ℃ کي هائڊروجن ماحول ۾ گرم ڪيو ويندو آهي، مقصد اهو آهي ته ذيلي سطح جي سطح کي صاف ڪرڻ؛

(2) جڏهن ذيلي ذخيري جو گرمي پد 510 ℃ تائين گهٽجي وڃي ٿو، 30nm جي ٿلهي سان هڪ گهٽ گرمي پد جي GaN/AlN بفر پرت کي سيفائر سبسٽريٽ جي مٿاڇري تي جمع ڪيو ويندو آهي.

(3) گرمي پد 10 ℃ تائين وڌي ٿو، رد عمل گيس امونيا، ٽرميٿيلگاليميم ۽ سلين انجيڪشن آهن، ترتيب سان لاڳاپيل وهڪري جي شرح کي ڪنٽرول ڪن ٿا، ۽ 4um ٿلهي جي سلڪون-ڊوپڊ N-قسم جي GaN وڌي وئي آهي؛

(4) trimethyl المونيم ۽ trimethyl gallium جي رد عمل گيس استعمال ڪيو ويو 0.15um جي ٿولهه سان سلڪون-ڊاپڊ N-type A⒑ براعظمن کي تيار ڪرڻ لاءِ.

(5) 50nm Zn-doped InGaN تيار ڪيو ويو trimethylgallium، trimethylindium، diethylzinc ۽ ammonia جي انجيڪشن ذريعي 8O0 ℃ جي درجه حرارت تي ۽ ترتيب سان مختلف وهڪري جي شرح کي ڪنٽرول ڪندي؛

(6) گرمي پد 1020 ℃ تائين وڌايو ويو، trimethylaluminum، trimethylgallium ۽ bis (cyclopentadienyl) ميگنيشيم کي 0.15um Mg doped P-type AlGaN ۽ 0.5um Mg doped P-type G بلڊ گلوڪوز تيار ڪرڻ لاءِ انجيڪشن ڪيو ويو.

(7) اعلي معيار جي پي-قسم GaN Sibuyan فلم 700 ℃ تي نائٽروجن ماحول ۾ annealing ذريعي حاصل ڪيو ويو؛

(8) P-type G stasis جي مٿاڇري تي اينچنگ N-type G stasis جي مٿاڇري کي ظاهر ڪرڻ لاءِ؛

(9) p-GaNI جي مٿاڇري تي Ni/Au رابطي جي پليٽن جو بخارات، ll-GaN جي مٿاڇري تي △/Al رابطي واري پليٽن جو بخارات اليڪٽرروڊس ٺاهڻ لاءِ.