3inch Dia76.2mm SiC substrates HPSI پرائم ريسرچ ۽ ڊمي گريڊ

Conductive substrate: 15 ~ 30mΩ-cm silicon carbide substrate جي resistivity ڏانهن اشارو.سلڪون ڪاربائڊ ايپيٽيڪسيل ويفر جيڪو کنڊڪٽو سلڪون ڪاربائڊ سبسٽرٽ مان اڀري ٿو ان کي وڌيڪ پاور ڊوائيسز ۾ ٺاهيو وڃي ٿو، جيڪي وڏي پيماني تي نئين توانائي گاڏين، فوٽو وولٽيڪس، سمارٽ گرڊز، ۽ ريل ٽرانسپورٽ ۾ استعمال ٿيندا آهن.

سيمي-انسوليٽنگ سبسٽرٽ 100000Ω-cm سلکان ڪاربائڊ سبسٽريٽ کان وڌيڪ مزاحمت جي حوالي ڪري ٿو، خاص طور تي گيليم نائٽرائڊ مائڪرو ويڪرو ريڊيو فریکوئنسي ڊوائيسز جي تعمير ۾ استعمال ٿيندو آهي، وائرليس ڪميونيڪيشن فيلڊ جو بنياد آهي.

اهو وائرليس ڪميونيڪيشن جي ميدان ۾ هڪ بنيادي جزو آهي.

Silicon carbide conductive and semi-insulating substrates وڏين اليڪٽرڪ ڊوائيسز ۽ پاور ڊوائيسز ۾ استعمال ٿيندا آھن، جن ۾ شامل آھن پر ھيٺين تائين محدود نه آھن:

هاءِ پاور سيميڪنڊڪٽر ڊوائيسز (ڪنڊڪٽي): سلڪون ڪاربائيڊ سبسٽرن ۾ اعليٰ بريڪ ڊائون فيلڊ طاقت ۽ حرارتي چالکائي هوندي آهي، ۽ اهي اعليٰ پاور پاور ٽرانسسٽرز ۽ ڊيوڊس ۽ ٻين ڊوائيسز جي پيداوار لاءِ موزون آهن.

آر ايف اليڪٽرانڪ ڊوائيسز (نيم موصل ٿيل): سلڪون ڪاربائڊ سبسٽرا تيز سوئچنگ اسپيڊ ۽ پاور رواداري، ايپليڪيشنن لاءِ موزون آهن جهڙوڪ آر ايف پاور ايمپليفائرز، مائڪرو ويڪرو ڊوائيسز ۽ اعليٰ فريڪوئنسي سوئچز.

Optoelectronic ڊوائيسز (نيم موصل ٿيل): سلڪون ڪاربائڊ ذيلي ذخيري ۾ وسيع توانائي جي خال ۽ اعلي حرارتي استحڪام، فوٽوڊيوڊس، شمسي سيلز ۽ ليزر ڊيوڊس ۽ ٻين ڊوائيسز ٺاهڻ لاء مناسب آهن.

گرمي پد سينسرز (Conductive): Silicon carbide substrates ۾ اعلي حرارتي چالکائي ۽ حرارتي استحڪام آهي، اعلي درجه حرارت سينسر ۽ درجه حرارت جي ماپ جي آلات جي پيداوار لاء مناسب.

پيداوار جي عمل ۽ سلکان ڪاربائيڊ conductive ۽ نيم-انسوليٽنگ substrates جي درخواست جي شعبن ۽ امڪانن جو هڪ وسيع سلسلو آهي، اليڪٽرانڪ ڊوائيسز ۽ بجلي ڊوائيسز جي ترقي لاء نئين امڪان مهيا ڪري.