ذرو
-
ٽي وي جي پروسيس تي کوارٽز سيفائر BF33 ويفر شيشي جي ويفر ڇنڊڻ
-
سنگل کرسٽل سلکان ويفر سي سبسٽريٽ قسم N/P اختياري سلکان ڪاربائيڊ ويفر
-
N-Type SiC Composite Substrates Dia6inch اعليٰ معيار جي مونوڪريسٽلائن ۽ گھٽ معيار جا ذريعا
-
سي جامع سبسٽراٽس تي سيمي انسوليٽنگ سي سي
-
سيمي انسوليٽنگ سي سي جامع سبسٽريٽ Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
P-قسم SiC substrate SiC wafer Dia2inch نئين پيداوار
-
N-Type SiC on Si Composite Substrates Dia6inch
-
SiC substrate Dia200mm 4H-N ۽ HPSI Silicon carbide
-
3 انچ سي سي سبسٽريٽ پيداوار Dia76.2mm 4H-N
-
SiC substrate P ۽ D گريڊ Dia50mm 4H-N 2inch
-
TGV گلاس 12inch wafer شيشي جي ڇنڊڇاڻ substrates
-
4H-N/6H-N SiC ويفر ريسرچ پيداوار ڊمي گريڊ Dia150mm سلکان ڪاربائڊ سبسٽريٽ