سي سي
-
4 انچ نيم بي عزتي ڪندڙ سي سي ويفرز HPSI SiC سبسٽريٽ پرائم پروڊڪشن گريڊ
-
3 انچ 76.2mm 4H-سيمي سي سي سبسٽريٽ ويفر سلکان ڪاربائڊ نيم بي عزتي ڪندڙ سي سي ويفر
-
3inch Dia76.2mm SiC substrates HPSI پرائم ريسرچ ۽ ڊمي گريڊ
-
4H-سيمي HPSI 2inch SiC substrate wafer پيداوار ڊمي ريسرچ گريڊ
-
2 انچ سي سي ويفرز 6 ايڇ يا 4 ايڇ سيمي انسوليٽنگ سي سي سبسٽريٽس Dia50.8mm
-
4H-N 8 انچ SiC substrate wafer Silicon Carbide Dummy Research گريڊ 500um ٿولهه
-
8 انچ 200mm Silicon ڪاربائيڊ SiC Wafers 4H-N قسم پيداوار گريڊ 500um ٿولهه
-
2 انچ سلڪون ڪاربائيڊ ويفرز 6H يا 4H N-قسم يا سيمي انسوليٽنگ سي سي سبسٽريٽس
-
4H-N 4 انچ SiC substrate wafer Silicon Carbide پيداوار ڊمي ريسرچ گريڊ
-
6 انچ 150mm سلکان ڪاربائيڊ SiC Wafers 4H-N قسم MOS يا SBD پيداوار ريسرچ ۽ ڊمي گريڊ لاءِ
-
8 انچ 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy ريسرچ گريڊ
-
2 انچ سلڪون ڪاربائيڊ ويفرز 6H يا 4H N-قسم يا سيمي انسوليٽنگ سي سي سبسٽريٽس