Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N قسم هاء سختي سنکنرن مزاحمت وزيراعظم گريڊ پالش

Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N قسم ھاءِ سختي سنکنرن جي مزاحمتي پرائم گريڊ پالش ڪرڻ خصوصي تصوير

مختصر وضاحت:

Silicon carbide wafers اليڪٽرانڪ ڊوائيسز جي پيداوار ۾ استعمال هڪ اعلي ڪارڪردگي مواد آهن. اهو سلڪون ڪرسٽل گنبد ۾ سلکان ڪاربائيڊ پرت مان ٺاهيو ويو آهي ۽ مختلف گريڊن، قسمن ۽ سطح جي ختمن ۾ موجود آهي. ويفرز ۾ ليمبڊا/10 جي برابري هوندي آهي، جيڪا ويفرز مان ٺهيل اليڪٽرانڪ ڊوائيسز لاءِ اعليٰ معيار ۽ ڪارڪردگي کي يقيني بڻائي ٿي. Silicon carbide wafers مثالي آهن پاور اليڪٽرانڪس، LED ٽيڪنالاجي ۽ جديد سينسر ۾ استعمال لاءِ. اسان اليڪٽرانڪس ۽ فوٽوونڪس صنعتن لاءِ اعليٰ معيار جي سلکان ڪاربائيڊ ويفرز (sic) فراهم ڪندا آهيون.

اسان کي اي ميل موڪليو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

هيٺيون خاصيتون آهن سلکان ڪاربائيڊ ويفر جون خاصيتون

1. اعليٰ حرارتي چالکائي: SIC wafers جي حرارتي چالکائي سلکان جي ڀيٽ ۾ تمام گهڻي آهي، جنهن جو مطلب آهي ته SIC wafers موثر طريقي سان گرميءَ کي ختم ڪري سگهن ٿا ۽ تيز گرمي پد واري ماحول ۾ آپريشن لاءِ موزون آهن.
2. اعليٰ اليڪٽران موبلائيٽي: SIC ويفرز ۾ سلڪون جي ڀيٽ ۾ وڌيڪ اليڪٽران موبليٽي هوندي آهي، جيڪا SIC ڊوائيسز کي وڌيڪ رفتار تي هلائڻ جي اجازت ڏئي ٿي.
3. اعليٰ بريڪ ڊائون وولٽيج: SIC ويفر مواد ۾ وڌيڪ بريڪ ڊائون وولٽيج آهي، ان کي اعليٰ وولٽيج سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز ٺاهڻ لاءِ موزون بڻائي ٿو.
4. اعلي ڪيميائي استحڪام: SIC ويفرن ۾ مضبوط ڪيميائي سنکنرن جي مزاحمت آهي، جيڪا ڊوائيس جي اعتماد ۽ استحڪام کي بهتر ڪرڻ ۾ مدد ڪري ٿي.
5. وائڊر بينڊ گيپ: SIC ويفرز ۾ سلڪون کان وڌيڪ وسيع بينڊ گيپ هوندو آهي، SIC ڊوائيسز کي وڌيڪ گرمي پد تي بهتر ۽ وڌيڪ مستحڪم بڻائيندو آهي.

Silicon carbide wafer ڪيترن ئي اپليڪيشن ڪئي آهي

1. مشيني ميدان: ڪٽڻ جا اوزار ۽ پيسڻ واري مواد؛ لباس-مزاحمتي حصن ۽ bushings؛ صنعتي والوز ۽ مهر؛ بيرنگ ۽ بال
2. اليڪٽرڪ پاور فيلڊ: پاور سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز؛ هاء فریکوئنسي مائڪرو ويڪرو عنصر؛ هاء وولٹیج ۽ اعلي درجه حرارت پاور اليڪٽرانڪس؛ حرارتي انتظام مواد
3. ڪيميائي صنعت: ڪيميائي ريڪٽر ۽ سامان؛ corrosion-مزاحمتي پائپ ۽ اسٽوريج ٽينڪ؛ ڪيميائي ڪيٽيلسٽ سپورٽ
4. توانائي شعبي: گئس ٽربائن ۽ ٽربو چارجر اجزاء؛ ايٽمي طاقت جو بنيادي ۽ ڍانچي اجزاء اعلي درجه حرارت ايندھن سيل اجزاء
5. ايرو اسپيس: ميزائل ۽ خلائي گاڏين لاء حرارتي تحفظ جو نظام؛ جيٽ انجڻ ٽربائن بليڊ؛ ترقي يافته جامع
6. ٻيا علائقا: تيز گرمي پد sensors ۽ thermopiles؛ ڊيز ۽ اوزار sintering عمل لاء؛ پيسڻ ۽ پالش ڪرڻ ۽ ڪٽڻ جا شعبا
ZMKJ اليڪٽرڪ ۽ آپٽو اليڪٽرڪ انڊسٽري کي اعليٰ معيار جي سنگل کرسٽل سي سي ويفر (سيليڪان ڪاربائيڊ) فراهم ڪري سگھي ٿي. SiC wafer هڪ ايندڙ نسل جي سيمي ڪنڊڪٽر مواد آهي، منفرد برقي پراپرٽيز ۽ شاندار حرارتي ملڪيتن سان، سلڪون ويفر ۽ GaAs ويفر جي مقابلي ۾، سي سي ويفر تيز گرمي پد ۽ اعلي طاقت واري ڊوائيس ايپليڪيشن لاءِ وڌيڪ موزون آهي. SiC ويفر 2-6 انچ قطر ۾ فراهم ڪري سگھجي ٿو، ٻئي 4H ۽ 6H SiC، N-قسم، نائيٽروجن ڊاپڊ، ۽ نيم انسوليٽنگ قسم موجود آھن. مهرباني ڪري اسان سان رابطو ڪريو وڌيڪ پيداوار جي معلومات لاء.
اسان جي ڪارخاني ۾ ترقي يافته پيداواري سامان ۽ ٽيڪنيڪل ٽيم آهي، جيڪا گراهڪن جي مخصوص ضرورتن مطابق مختلف وضاحتن، ٿلهي ۽ سي سي ويفر جي شڪل کي ترتيب ڏئي سگهي ٿي.