مصنوعات
-
4H-N 4 انچ SiC substrate wafer Silicon Carbide پيداوار ڊمي ريسرچ گريڊ
-
هاء سڌائي Dia50x5mmt سيفائر ونڊوز تيز گرمي جي مزاحمت ۽ اعلي سختي
-
6 انچ 150mm سلکان ڪاربائيڊ SiC Wafers 4H-N قسم MOS يا SBD پيداوار ريسرچ ۽ ڊمي گريڊ لاءِ
-
اسٽيپ هولز Dia25.4×2.0mmt سيفائر آپٽيڪل لينس ونڊوز
-
2 انچ 50.8mm سنگل ويفر ڪيريئر باڪس پي سي ۽ پي پي جو
-
سيفائر ونڊو آپٽيڪل عناصر ڪوٽيڊ ملٽي سائز وضاحتون آپٽيڪل انفراريڊ ونڊو
-
2 انچ 50.8 ايم ايم جرمنيم ويفر سبسٽريٽ سنگل کرسٽل 1SP 2SP
-
3 انچ 4 انچ 6 انچ LiNbO3 ويفر سبسٽريٽ سنگل کرسٽل مواد
-
2 انچ 50.8mm سنگل ويفر ڪيريئر باڪس پي سي ۽ پي پي جو
-
8 انچ Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN ويفر
-
50.8mm 2inch GaN sapphire Epi-layer wafer تي
-
2 انچ 50.8 ايم سيفائر ويفر سي-پلين ايم-پلين آر-پلين اي-پلين ٿلهي 350um 430um 500um