مصنوعات
-
Dia50.8×0.1/0.17/0.2/0.25/0.3mmt Sapphire Wafer substrate Epi-ready DSP SSP
-
سرفيس پروسيسنگ جو طريقو ٽائيٽينيم-ڊوپڊ سيفائر ڪرسٽل ليزر راڊز
-
اسڪوائر ٽائي: سيفائر ونڊوز طول و عرض 106×5.0mmt Doped Ti3+ يا Cr3+ روبي مواد
-
ليب ٺاهيل ياقوت/روبي وڪري لاءِ Ruby# 5 Al2O3
-
روبي مواد مصنوعي ڪورنڊم لاءِ جواهر جي اصل مواد گلابي ڳاڙهي
-
ڪبوتر بلڊ روبي مواد ڊاپڊ Ti3+ Cr3+ گيم واچ گلاس لاءِ
-
ڪيسٽ 12 انچ سلکان ويفر ڪيريئر باڪس سلکان ويفر ڪنٽينر IC ويفر باڪس شيڊنگ
-
12 انچ 300mm سنگل ويفر سبسٽرٽ ڪيريئر باڪس پي سي ۽ پي پي جو
-
4H-N 8 انچ SiC substrate wafer Silicon Carbide Dummy Research گريڊ 500um ٿولهه
-
8 انچ 200mm Silicon ڪاربائيڊ SiC Wafers 4H-N قسم پيداوار گريڊ 500um ٿولهه
-
8 انچ 200mm سيفائر ويفر ڪيريئر سبسريٽ 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
4 انچ اعلي پاڪائي Al2O3 99.999% سيفائر سبسٽريٽ ويفر Dia101.6×0.65mmt پرائمري فليٽ ڊگھائي سان