26th تي، پاور ڪيوب سيمي ڏکڻ ڪوريا جي پهرين 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET سيمي ڪنڊڪٽر جي ڪامياب ترقي جو اعلان ڪيو.
موجوده Si (Silicon) جي بنياد تي سيمي ڪنڊڪٽرز جي مقابلي ۾، SiC (Silicon Carbide) وڌيڪ وولٽيجز کي برداشت ڪري سگھن ٿا، ان ڪري ان کي ايندڙ نسل جي ڊيوائس طور سڃاتو وڃي ٿو جيڪو پاور سيمڪنڊڪٽرز جي مستقبل جي اڳواڻي ڪري ٿو.اهو هڪ اهم جزو طور ڪم ڪري ٿو جيڪو جديد ٽيڪنالاجي متعارف ڪرائڻ لاءِ گهربل آهي، جهڙوڪ برقي گاڏين جي پکيڙ ۽ مصنوعي ذهانت ذريعي هلندڙ ڊيٽا سينٽرن جي توسيع.
پاور ڪيوب سيمي هڪ بيڪار ڪمپني آهي جيڪا پاور سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز کي ٽن مکيه ڀاڱن ۾ ترقي ڪري ٿي: SiC (Silicon Carbide)، Si (Silicon)، ۽ Ga2O3 (Gallium Oxide).تازي طور تي، ڪمپني لاڳو ڪئي ۽ اعلي ظرفيت واري Schottky Barrier Diodes (SBDs) چين ۾ هڪ عالمي برقي گاڏي ڪمپني کي، ان جي سيمي ڪنڊڪٽر ڊيزائن ۽ ٽيڪنالاجي جي سڃاڻپ حاصل ڪئي.
2300V SiC MOSFET جي ڇڏڻ قابل ذڪر آهي ڏکڻ ڪوريا ۾ پهريون اهڙي ترقي وارو ڪيس.Infineon، جرمني ۾ ٻڌل هڪ گلوبل پاور سيمي ڪنڊڪٽر ڪمپني، مارچ ۾ پنهنجي 2000V پراڊڪٽ جي لانچ جو اعلان ڪيو، پر 2300V پراڊڪٽ لائن اپ کان سواء.
Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET، TO-247PLUS-4-HCC پيڪيج کي استعمال ڪندي، ڊيزائنرز جي وچ ۾ وڌندڙ طاقت جي کثافت جي مطالبن کي پورو ڪري ٿو، سسٽم جي اعتبار کي يقيني بڻائي ٿو جيتوڻيڪ سخت هاءِ وولٽيج ۽ سوئچنگ فریکوئنسي حالتن جي تحت.
CoolSiC MOSFET هڪ اعلي سڌي موجوده لنڪ وولٹیج پيش ڪري ٿو، موجوده وڌائڻ کان سواء طاقت وڌائڻ کي چالو ڪري ٿو.هي مارڪيٽ تي پهريون ڊسڪريٽ سلڪون ڪاربائيڊ ڊيوائس آهي جيڪو 2000V جي بريڪ ڊائون وولٽيج سان، TO-247PLUS-4-HCC پيڪيج کي استعمال ڪندي 14mm جي ڪرپج فاصلي سان ۽ 5.4mm جي ڪليئرنس سان.اهي ڊوائيس گهٽ سوئچنگ نقصان جي خصوصيت رکن ٿا ۽ ايپليڪيشنن لاءِ موزون آهن جهڙوڪ سولر اسٽرنگ انورٽرز، انرجي اسٽوريج سسٽم، ۽ برقي گاڏي جي چارجنگ.
CoolSiC MOSFET 2000V پراڊڪٽ سيريز 1500V DC تائين اعلي وولٹیج ڊي سي بس سسٽم لاءِ موزون آهي.1700V SiC MOSFET جي مقابلي ۾، هي ڊوائيس 1500V ڊي سي سسٽم لاء ڪافي اوور وولٽ مارجن مهيا ڪري ٿو.CoolSiC MOSFET هڪ 4.5V حد وولٹیج پيش ڪري ٿو ۽ سخت ڪميوٽيشن لاءِ مضبوط باڊي ڊيوڊس سان ليس اچي ٿو..XT ڪنيڪشن ٽيڪنالاجي سان، اهي حصا پيش ڪن ٿا بهترين حرارتي ڪارڪردگي ۽ مضبوط نمي جي مزاحمت.
2000V CoolSiC MOSFET کان علاوه، Infineon جلد ئي TO-247PLUS 4-pin ۽ TO-247-2 پيڪيجز ۾ پيڪيج ٿيل مڪمل CoolSiC ڊاءِڊس کي 2024 جي ٽئين ٽه ماهي ۽ 2024 جي آخري ٽه ماهي ۾، ترتيب سان شروع ڪندو.اهي ڊيوڊ خاص طور تي سولر ايپليڪيشنن لاءِ موزون آهن.ميچنگ گيٽ ڊرائيور پراڊڪٽ جا مجموعا پڻ موجود آهن.
CoolSiC MOSFET 2000V پراڊڪٽ سيريز هاڻي مارڪيٽ تي موجود آهي.ان کان علاوه، Infineon پيش ڪري ٿو مناسب تشخيصي بورڊ: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.ڊولپرز هن بورڊ کي استعمال ڪري سگھن ٿا هڪ عام عام ٽيسٽ پليٽ فارم جي طور تي سڀني CoolSiC MOSFETs ۽ ڊيوڊس جو جائزو وٺڻ لاءِ 2000V تي درجه بندي ڪئي وئي آهي، انهي سان گڏ EiceDRIVER ڪمپيڪٽ سنگل چينل آئسوليشن گيٽ ڊرائيور 1ED31xx پراڊڪٽ سيريز ڊبل پلس يا لڳاتار PWM آپريشن ذريعي.
گنگ شين سو، پاور ڪيوب سيمي جي چيف ٽيڪنالاجي آفيسر، بيان ڪيو، "اسان 1700V SiC MOSFETs جي ترقي ۽ وڏي پيداوار ۾ 2300V تائين اسان جي موجوده تجربي کي وڌائڻ جي قابل ٿي ويا آهيون.
پوسٽ ٽائيم: اپريل-08-2024