InGaAs epitaxial wafer substrate PD Array photodetector arrays LiDAR لاءِ استعمال ٿي سگھن ٿا

InGaAs epitaxial wafer substrate PD Array photodetector arrays LiDAR فيچر ٿيل تصوير لاءِ استعمال ٿي سگھن ٿا

مختصر وضاحت:

InGaAs epitaxial فلم انڊيم گيليم آرسينڪ (InGaAs) واحد کرسٽل پتلي فلم مواد ڏانهن اشارو ڪري ٿو جيڪو هڪ مخصوص سبسٽريٽ تي ايپيٽيڪسيل ترقي جي ٽيڪنالاجي طرفان ٺهيل آهي. عام InGaAs epitaxial substrates indium phosphide (InP) ۽ gallium arsenide (GaAs) آھن. انهن سبسٽريٽ مواد ۾ سٺو ڪرسٽل معيار ۽ حرارتي استحڪام آهي، جيڪو InGaAs epitaxial تہه جي واڌ لاء هڪ بهترين سبسٽريٽ مهيا ڪري سگهي ٿو.
PD Array (Photodetector Array) ڪيترن ئي ڦوٽو ڊيٽيڪٽرن جو هڪ صف آهي جيڪو هڪ ئي وقت ڪيترن ئي آپٽيڪل سگنلن کي ڳولڻ جي قابل آهي. MOCVD مان اڀري epitaxial شيٽ بنيادي طور تي استعمال ڪئي ويندي آهي فوٽو ڊيٽيڪشن ڊاءِڊس، جذب واري پرت U-InGaAs مان ٺهيل آهي، پس منظر جي ڊاپنگ <5E14 آهي، ۽ ڊفيوز ٿيل Zn گراهڪ يا ايپي هاؤس طرفان مڪمل ٿي سگهي ٿو. epitaxial ٽيبلٽس PL، XRD ۽ ECV ماپن پاران تجزيو ڪيو ويو.

اسان کي اي ميل موڪليو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

InGaAs ليزر epitaxial شيٽ جي اهم خاصيتون شامل آهن

1. Lattice Matching: InGaAs epitaxial پرت ۽ InP يا GaAs سبسٽرٽ جي وچ ۾ سٺي لٽيس ميچنگ حاصل ڪري سگھجي ٿي، ان ڪري epitaxial پرت جي خرابي جي کثافت کي گھٽائي ٿي ۽ ڊوائيس جي ڪارڪردگي کي بهتر بڻائي ٿي.
2. ايڊجسٽبل بينڊ گيپ: InGaAs مواد جي بينڊ گيپ کي حاصل ڪري سگھجي ٿو اجزاء جي تناسب کي ترتيب ڏيڻ سان In and Ga، جيڪو InGaAs epitaxial شيٽ کي آپٽو اليڪٽرڪ ڊوائيسز ۾ ايپليڪيشن جي امڪانن جو وسيع رينج آھي.
3. اعلي فوٽو حساسيت: InGaAs epitaxial فلم ۾ روشني جي اعلي حساسيت آهي، جيڪا ان کي فوٽو اليڪٽرڪ جي سڃاڻپ، آپٽيڪل ڪميونيڪيشن ۽ ٻين منفرد فائدن جي ميدان ۾ ٺاهيندي آهي.
4. تيز گرمي پد جي استحڪام: InGaAs/InP epitaxial ڍانچي ۾ بهترين تيز گرمي پد جي استحڪام آهي، ۽ اعلي درجه حرارت تي مستحڪم ڊوائيس ڪارڪردگي برقرار رکي سگهي ٿي.

InGaAs ليزر ايپيٽڪسيل ٽيبلٽس جي مکيه ايپليڪيشنون شامل آهن

1. Optoelectronic Devices: InGaAs epitaxial ٽيبليٽس استعمال ڪري سگھجن ٿيون فوٽوڊيوڊس، فوٽو ڊيڪٽرز ۽ ٻيون آپٽو اليڪٽرونڪ ڊيوائسز تيار ڪرڻ لاءِ، جن ۾ آپٽيڪل ڪميونيڪيشن، نائيٽ ويزن ۽ ٻين شعبن ۾ ايپليڪيشنن جو وسيع سلسلو موجود آھي.

2. Lasers: InGaAs epitaxial شيٽ پڻ استعمال ڪري سگھجن ٿيون ليزر تيار ڪرڻ لاءِ، خاص ڪري ڊگھي ويولٿ ليزر، جيڪي آپٽيڪل فائبر ڪميونيڪيشن، صنعتي پروسيسنگ ۽ ٻين شعبن ۾ اهم ڪردار ادا ڪن ٿيون.

3. سولر سيلز: InGaAs مواد ۾ وسيع بينڊ گيپ ايڊجسٽمينٽ رينج آھي، جيڪو تھرمل فوٽووولٽڪ سيلز جي گھربل بينڊ گيپ جي ضرورتن کي پورو ڪري سگھي ٿو، تنھنڪري InGaAs epitaxial شيٽ ۾ پڻ سولر سيلز جي فيلڊ ۾ خاص ايپليڪيشن جي صلاحيت آھي.

4. ميڊيڪل اميجنگ: طبي تصويرن جي سامان ۾ (جهڙوڪ CT، MRI، وغيره)، ڳولڻ ۽ تصويرن لاء.

5. سينسر نيٽورڪ: ماحولياتي نگراني ۽ گيس جي چڪاس ۾، ڪيترن ئي پيٽرولن جي نگراني ڪري سگهجي ٿي.

6. صنعتي آٽوميشن: مشين وژن سسٽم ۾ استعمال ٿيل پيداوار جي لائن تي شين جي حالت ۽ معيار جي نگراني ڪرڻ لاء.

مستقبل ۾، InGaAs epitaxial substrate جي مادي خاصيتن کي بهتر بڻائڻ جاري رهندو، بشمول فوٽو اليڪٽرڪ تبادلي جي ڪارڪردگي جي بهتري ۽ شور جي سطح جي گھٽتائي. اهو ٺاهيندو InGaAs epitaxial substrate وڌيڪ وڏي پيماني تي optoelectronic ڊوائيسز ۾ استعمال ڪيو ويندو، ۽ ڪارڪردگي وڌيڪ شاندار آهي. ساڳئي وقت، تياري جي عمل کي به لاڳيتو بهتر ڪيو ويندو خرچن کي گهٽائڻ ۽ ڪارڪردگي کي بهتر بڻائڻ لاءِ، جيئن وڏي مارڪيٽ جي ضرورتن کي پورو ڪري سگهجي.

عام طور تي، InGaAs epitaxial substrate پنهنجي منفرد خاصيتن ۽ وسيع ايپليڪيشن جي امڪانن سان سيمي ڪنڊڪٽر مواد جي ميدان ۾ هڪ اهم پوزيشن تي قبضو ڪري ٿو.

XKH پيش ڪري ٿو InGaAs epitaxial Sheets جي ڪسٽمائيزيشن کي مختلف ساختن ۽ ٿلهي سان، اپٽو اليڪٽرانڪ ڊوائيسز، ليزر، ۽ سولر سيلز لاء ايپليڪيشنن جي وسيع رينج کي ڍڪيندي. XKH جي پروڊڪٽس اعلي ڪارڪردگي ۽ reliability کي يقيني بڻائڻ لاء ترقي يافته MOCVD سامان سان ٺهيل آهن. لاجسٽڪ جي لحاظ کان، XKH وٽ بين الاقوامي ذريعن جي چينلن جي وسيع رينج آھي، جيڪي لچڪدار طريقي سان آرڊرن جي تعداد کي سنڀالي سگھن ٿا، ۽ قيمتي اضافو خدمتون مهيا ڪري سگھن ٿيون جھڙوڪ ريفائنمينٽ ۽ سيگمينٽيشن. موثر ترسيل عمل وقت جي ترسيل کي يقيني بڻائي ٿو ۽ معيار ۽ ترسيل وقت لاءِ گراهڪ جي گهرجن کي پورو ڪن ٿا.