گيليم نائٽرائڊ (GaN) ايپيٽيڪسيل نيلم ويفرز تي اُگايل 4 انچ 6 انچ MEMS لاءِ
نيلم ويفرز تي GaN جون خاصيتون
● اعليٰ ڪارڪردگي:GaN تي ٻڌل ڊوائيسز سلڪون تي ٻڌل ڊوائيسز کان پنج ڀيرا وڌيڪ طاقت فراهم ڪن ٿا، مختلف اليڪٽرانڪ ايپليڪيشنن ۾ ڪارڪردگي کي وڌائين ٿا، جن ۾ RF ايمپليفڪيشن ۽ آپٽو اليڪٽرانڪس شامل آهن.
● وسيع بينڊ گيپ:GaN جو وسيع بينڊ گيپ بلند درجه حرارت تي اعليٰ ڪارڪردگي کي قابل بڻائي ٿو، جيڪو ان کي اعليٰ طاقت ۽ اعليٰ فريڪوئنسي ايپليڪيشنن لاءِ مثالي بڻائي ٿو.
● استحڪام:GaN جي انتهائي حالتن (وڌيڪ گرمي پد ۽ تابڪاري) کي سنڀالڻ جي صلاحيت سخت ماحول ۾ ڊگهي عرصي تائين ڪارڪردگي کي يقيني بڻائي ٿي.
● ننڍو سائيز:GaN روايتي سيمي ڪنڊڪٽر مواد جي مقابلي ۾ وڌيڪ ڪمپيڪٽ ۽ هلڪو وزن وارن ڊوائيسز جي پيداوار جي اجازت ڏئي ٿو، ننڍن ۽ وڌيڪ طاقتور اليڪٽرانڪس کي سهولت فراهم ڪري ٿو.
تجريدي
گيليم نائٽرائڊ (GaN) ترقي يافته ايپليڪيشنن لاءِ پسند جي سيمي ڪنڊڪٽر طور اڀري رهيو آهي جن کي اعليٰ طاقت ۽ ڪارڪردگي جي ضرورت آهي، جهڙوڪ RF فرنٽ-اينڊ ماڊلز، تيز رفتار ڪميونيڪيشن سسٽم، ۽ LED لائٽنگ. GaN ايپيٽيڪسيل ويفرز، جڏهن نيلم سبسٽريٽس تي وڌندا آهن، ته اهي اعليٰ حرارتي چالکائي، اعليٰ بريڪ ڊائون وولٽيج، ۽ وسيع فريڪوئنسي جواب جو ميلاپ پيش ڪن ٿا، جيڪي وائرليس ڪميونيڪيشن ڊوائيسز، ريڊار ۽ جيمر ۾ بهترين ڪارڪردگي لاءِ اهم آهن. اهي ويفرز 4 انچ ۽ 6 انچ قطر ٻنهي ۾ موجود آهن، مختلف ٽيڪنيڪل گهرجن کي پورو ڪرڻ لاءِ مختلف GaN ٿولهه سان. GaN جون منفرد خاصيتون ان کي پاور اليڪٽرانڪس جي مستقبل لاءِ هڪ اهم اميدوار بڻائين ٿيون.
پيداوار جا پيرا ميٽر
| پيداوار جي خاصيت | وضاحت |
| ويفر قطر | 50 ملي ميٽر، 100 ملي ميٽر، 50.8 ملي ميٽر |
| سبسٽريٽ | نيلم |
| GaN پرت جي ٿولهه | 0.5 μm - 10 μm |
| گي اين جو قسم/ڊوپنگ | اين-قسم (پي-قسم درخواست تي دستياب آهي) |
| GaN ڪرسٽل اورينٽيشن | <0001> |
| پالش ڪرڻ جو قسم | سنگل سائڊ پالش ٿيل (ايس ايس پي)، ڊبل سائڊ پالش ٿيل (ڊي ايس پي) |
| Al2O3 ٿولهه | 430 μm - 650 μm |
| ٽي ٽي وي (ڪل ٿولهه ۾ تبديلي) | ≤ 10 μm |
| ڪمان | ≤ 10 μm |
| وارپ | ≤ 10 μm |
| مٿاڇري جو علائقو | استعمال لائق مٿاڇري جو علائقو > 90٪ |
سوال ۽ جواب
سوال 1: روايتي سلڪون تي ٻڌل سيمي ڪنڊڪٽرز جي ڀيٽ ۾ GaN استعمال ڪرڻ جا اهم فائدا ڪهڙا آهن؟
A1: GaN سلڪون تي ڪيترائي اهم فائدا پيش ڪري ٿو، جنهن ۾ هڪ وسيع بينڊ گيپ شامل آهي، جيڪو ان کي وڌيڪ بريڪ ڊائون وولٽيجز کي سنڀالڻ ۽ وڌيڪ گرمي پد تي ڪارآمد طريقي سان ڪم ڪرڻ جي اجازت ڏئي ٿو. اهو GaN کي اعليٰ طاقت، اعليٰ فريڪوئنسي ايپليڪيشنن جهڙوڪ RF ماڊلز، پاور ايمپليفائرز، ۽ LEDs لاءِ مثالي بڻائي ٿو. GaN جي وڌيڪ طاقت جي کثافت کي سنڀالڻ جي صلاحيت سلڪون تي ٻڌل متبادل جي مقابلي ۾ ننڍڙن ۽ وڌيڪ ڪارآمد ڊوائيسز کي پڻ قابل بڻائي ٿي.
سوال 2: ڇا گي اين آن سيفائر ويفرز کي ايم اي ايم ايس (مائڪرو اليڪٽرو ميڪينيڪل سسٽم) ايپليڪيشنن ۾ استعمال ڪري سگهجي ٿو؟
A2: ها، گي اين آن سيفائر ويفرز MEMS ايپليڪيشنن لاءِ موزون آهي، خاص طور تي جتي اعليٰ طاقت، گرمي پد جي استحڪام، ۽ گهٽ شور جي ضرورت هوندي آهي. اعليٰ فريڪوئنسي ماحول ۾ مواد جي استحڪام ۽ ڪارڪردگي ان کي وائرليس ڪميونيڪيشن، سينسنگ، ۽ ريڊار سسٽم ۾ استعمال ٿيندڙ MEMS ڊوائيسز لاءِ مثالي بڻائي ٿي.
سوال 3: وائرليس ڪميونيڪيشن ۾ GaN جا امڪاني ايپليڪيشن ڪهڙا آهن؟
A3: GaN وائرليس ڪميونيڪيشن لاءِ RF فرنٽ-اينڊ ماڊلز ۾ وڏي پيماني تي استعمال ٿيندو آهي، جنهن ۾ 5G انفراسٽرڪچر، ريڊار سسٽم، ۽ جيمر شامل آهن. ان جي اعليٰ طاقت جي کثافت ۽ حرارتي چالکائي ان کي اعليٰ طاقت، اعليٰ فريڪوئنسي ڊوائيسز لاءِ ڀرپور بڻائي ٿي، سلڪون تي ٻڌل حلن جي مقابلي ۾ بهتر ڪارڪردگي ۽ ننڍا فارم فيڪٽرز کي فعال بڻائي ٿي.
سوال 4: نيلم ويفرز تي GaN لاءِ ليڊ ٽائيم ۽ گهٽ ۾ گهٽ آرڊر جي مقدار ڇا آهي؟
A4: ليڊ ٽائيم ۽ گھٽ ۾ گھٽ آرڊر جي مقدار ويفر سائيز، GaN ٿلهي، ۽ مخصوص گراهڪ جي گهرجن جي لحاظ کان مختلف هوندي آهي. مھرباني ڪري پنھنجي وضاحتن جي بنياد تي تفصيلي قيمت ۽ دستيابي لاءِ اسان سان سڌو رابطو ڪريو.
سوال 5: ڇا مان ڪسٽم GaN پرت جي ٿولهه يا ڊوپنگ ليول حاصل ڪري سگهان ٿو؟
A5: ها، اسان مخصوص ايپليڪيشن جي ضرورتن کي پورو ڪرڻ لاءِ GaN ٿولهه ۽ ڊوپنگ ليول جي ڪسٽمائيزيشن پيش ڪندا آهيون. مھرباني ڪري اسان کي پنھنجيون گهربل وضاحتون ٻڌايو، ۽ اسان ھڪ ترتيب ڏنل حل فراهم ڪنداسين.
تفصيلي ڊاگرام
