6 انچ ڪنڊڪٽو سنگل ڪرسٽل SiC پولي ڪرسٽل لائن SiC جامع سبسٽريٽ تي قطر 150mm P قسم N قسم
ٽيڪنيڪل پيراگراف
| ماپ: | 6 انچ |
| نيم: | 150 ملي ميٽر |
| ٿولهه: | 400-500 μm |
| مونو ڪرسٽل لائن سي سي فلم پيرا ميٽرز | |
| پولي ٽائپ: | 4H-SiC يا 6H-SiC |
| ڊوپنگ ڪنسنٽريشن: | 1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ سينٽي ميٽر⁻³ |
| ٿولهه: | 5-20 μm |
| چادر جي مزاحمت: | 10-1000 Ω/چورس اسڪوائر |
| اليڪٽران جي حرڪت: | 800-1200 سينٽي ميٽر/بمقابلو |
| سوراخ جي حرڪت: | 100-300 سينٽي ميٽر/بمقابلو |
| پولي ڪرسٽل لائن سي سي بفر پرت پيرا ميٽرز | |
| ٿولهه: | 50-300 μm |
| حرارتي چالکائي: | 150-300 واٽ/مڪلو ميٽر |
| مونو ڪرسٽل لائن سي سي سبسٽريٽ پيرا ميٽرز | |
| پولي ٽائپ: | 4H-SiC يا 6H-SiC |
| ڊوپنگ ڪنسنٽريشن: | 1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ سينٽي ميٽر⁻³ |
| ٿولهه: | 300-500 μm |
| اناج جي ماپ: | > 1 ملي ميٽر |
| مٿاڇري جي خرابي: | < 0.3 ملي ايم آر ايم ايس |
| مشيني ۽ بجلي جا خاصيتون | |
| سختي: | 9-10 موهن |
| دٻاءُ واري طاقت: | 3-4 جي پي اي |
| ٽينسل طاقت: | 0.3-0.5 جي پي اي |
| بريڪ ڊائون فيلڊ طاقت: | > 2 ايم وي/سينٽي ميٽر |
| ڪُل دوز رواداري: | > 10 مراد |
| سنگل ايونٽ اثر مزاحمت: | > 100 MeV·cm²/mg |
| حرارتي چالکائي: | 150-380 واٽ/ميليٽر ڪلو |
| آپريٽنگ گرمي پد جي حد: | -55 کان 600 ° سي |
اهم خاصيتون
پولي ڪرسٽل لائن SiC ڪمپوزٽ سبسٽريٽ تي 6 انچ ڪنڊڪٽو مونو ڪرسٽل لائن SiC مادي ساخت ۽ ڪارڪردگي جو هڪ منفرد توازن پيش ڪري ٿو، جيڪو ان کي صنعتي ماحول جي طلب لاءِ موزون بڻائي ٿو:
1. قيمت جي اثرائتي: پولي ڪرسٽل لائن SiC بيس مڪمل-مونوڪرسٽل لائن SiC جي مقابلي ۾ قيمتن کي گهٽائي ٿو، جڏهن ته مونوڪرسٽل لائن SiC فعال پرت ڊوائيس-گريڊ ڪارڪردگي کي يقيني بڻائي ٿي، قيمت جي لحاظ کان حساس ايپليڪيشنن لاءِ مثالي.
2. غير معمولي بجلي جا خاصيتون: مونو ڪرسٽل لائن SiC پرت اعلي ڪيريئر موبلٽي (>500 cm²/V·s) ۽ گهٽ خراب کثافت ڏيکاري ٿي، جيڪا اعلي تعدد ۽ اعلي طاقت واري ڊوائيس آپريشن کي سپورٽ ڪري ٿي.
3. اعليٰ درجه حرارت جي استحڪام: SiC جي موروثي اعليٰ درجه حرارت جي مزاحمت (>600°C) يقيني بڻائي ٿي ته جامع سبسٽريٽ انتهائي حالتن ۾ مستحڪم رهي، ان کي برقي گاڏين ۽ صنعتي موٽر ايپليڪيشنن لاءِ موزون بڻائي ٿي.
4.6 انچ معياري ويفر سائيز: روايتي 4 انچ SiC سبسٽريٽس جي مقابلي ۾، 6 انچ فارميٽ چپ جي پيداوار کي 30 سيڪڙو کان وڌيڪ وڌائي ٿو، في يونٽ ڊوائيس جي قيمت گھٽائي ٿو.
5. ڪنڊڪٽو ڊيزائن: پري-ڊوپڊ اين-ٽائيپ يا پي-ٽائيپ پرتون ڊوائيس جي پيداوار ۾ آئن امپلانٽيشن مرحلن کي گھٽ ڪن ٿيون، پيداوار جي ڪارڪردگي ۽ پيداوار کي بهتر بڻائين ٿيون.
6. اعليٰ حرارتي انتظام: پولي ڪرسٽل لائن SiC بيس جي حرارتي چالکائي (~120 W/m·K) مونو ڪرسٽل لائن SiC جي ويجهو آهي، جيڪا اعليٰ طاقت وارن ڊوائيسز ۾ گرمي جي ضايع ٿيڻ جي چئلينجن کي مؤثر طريقي سان حل ڪري ٿي.
اهي خاصيتون 6 انچ ڪنڊڪٽو مونوڪريسٽل لائن سي آءِ سي کي پولي ڪرسٽل لائن سي آءِ سي ڪمپوزٽ سبسٽريٽ تي قابل تجديد توانائي، ريل ٽرانسپورٽ، ۽ ايرو اسپيس جهڙين صنعتن لاءِ مقابلي واري حل جي طور تي پوزيشن ڏين ٿيون.
پرائمري ايپليڪيشنون
پولي ڪرسٽل لائن SiC ڪمپوزٽ سبسٽريٽ تي 6 انچ ڪنڊڪٽو مونو ڪرسٽل لائن SiC کي ڪيترن ئي اعليٰ طلب وارن شعبن ۾ ڪاميابي سان استعمال ڪيو ويو آهي:
1. اليڪٽرڪ گاڏين جي پاور ٽرينون: انورٽر جي ڪارڪردگي کي وڌائڻ ۽ بيٽري جي حد کي وڌائڻ لاءِ هاءِ وولٽيج SiC MOSFETs ۽ ڊائيوڊز ۾ استعمال ٿيندا آهن (مثال طور، ٽيسلا، BYD ماڊل).
2. صنعتي موٽر ڊرائيو: ڳري مشينري ۽ ونڊ ٽربائن ۾ توانائي جي استعمال کي گھٽائيندي، تيز گرمي پد، تيز سوئچنگ فريڪوئنسي پاور ماڊلز کي فعال ڪري ٿي.
3. فوٽووولٽڪ انورٽر: SiC ڊوائيسز شمسي تبديلي جي ڪارڪردگي (>99٪) کي بهتر بڻائين ٿا، جڏهن ته جامع سبسٽريٽ سسٽم جي قيمتن کي وڌيڪ گھٽائي ٿو.
4. ريل ٽرانسپورٽ: تيز رفتار ريل ۽ سب وي سسٽم لاءِ ٽريڪشن ڪنورٽرز ۾ لاڳو ڪيو ويو آهي، جيڪو هاءِ وولٽيج مزاحمت (> 1700V) ۽ ڪمپيڪٽ فارم فيڪٽرز پيش ڪري ٿو.
5. ايرو اسپيس: سيٽلائيٽ پاور سسٽم ۽ هوائي جهاز جي انجن ڪنٽرول سرڪٽ لاءِ مثالي، انتهائي گرمي پد ۽ تابڪاري کي برداشت ڪرڻ جي قابل.
عملي ٺاھڻ ۾، پولي ڪرسٽل لائن SiC جامع سبسٽريٽ تي 6 انچ ڪنڊڪٽو مونو ڪرسٽل لائن SiC معياري SiC ڊوائيس جي عملن سان مڪمل طور تي مطابقت رکي ٿو (مثال طور، ليٿوگرافي، ايچنگ)، اضافي سرمائيداري سيڙپڪاري جي ضرورت ناهي.
ايڪس ڪي ايڇ سروسز
XKH پولي ڪرسٽل لائن SiC ڪمپوزٽ سبسٽريٽ تي 6 انچ ڪنڊڪٽو مونو ڪرسٽل لائن SiC لاءِ جامع مدد فراهم ڪري ٿو، جيڪو وڏي پيماني تي پيداوار لاءِ آر اينڊ ڊي کي ڍڪيندو آهي:
1. ڪسٽمائيزيشن: مختلف ڊوائيس جي گهرجن کي پورو ڪرڻ لاءِ ترتيب ڏيڻ واري مونو ڪرسٽل لائن پرت جي ٿولهه (5–100 μm)، ڊوپنگ ڪنسنٽريشن (1e15–1e19 cm⁻³)، ۽ ڪرسٽل اورينٽيشن (4H/6H-SiC).
2. ويفر پروسيسنگ: پلگ اينڊ پلي انٽيگريشن لاءِ پٺئين پاسي پتلي ڪرڻ ۽ ميٽلائيزيشن سروسز سان 6 انچ سبسٽريٽ جي وڏي مقدار جي فراهمي.
3. ٽيڪنيڪل تصديق: مواد جي قابليت کي تيز ڪرڻ لاءِ XRD ڪرسٽلينٽي تجزيو، هال اثر ٽيسٽنگ، ۽ حرارتي مزاحمت جي ماپ شامل آهي.
4. تيز پروٽوٽائپنگ: 2 کان 4 انچ جا نمونا (ساڳي عمل) تحقيقي ادارن لاءِ ترقي جي چڪر کي تيز ڪرڻ لاءِ.
5. ناڪامي جو تجزيو ۽ اصلاح: پروسيسنگ چئلينجز لاءِ مواد جي سطح جا حل (مثال طور، ايپيٽيڪسيل پرت جي خرابين).
اسان جو مشن پولي ڪرسٽل لائن SiC ڪمپوزٽ سبسٽريٽ تي 6 انچ ڪنڊڪٽو مونو ڪرسٽل لائن SiC کي SiC پاور اليڪٽرانڪس لاءِ ترجيحي قيمت-ڪارڪردگي حل جي طور تي قائم ڪرڻ آهي، جيڪو پروٽوٽائپنگ کان وٺي حجم جي پيداوار تائين اينڊ-ٽو-اينڊ سپورٽ پيش ڪري ٿو.
ٿڪل
پولي ڪرسٽل لائن SiC ڪمپوزٽ سبسٽريٽ تي 6 انچ ڪنڊڪٽو مونو ڪرسٽل لائن SiC پنهنجي جديد مونو/پولي ڪرسٽل لائن هائبرڊ ڍانچي ذريعي ڪارڪردگي ۽ قيمت جي وچ ۾ هڪ اهم توازن حاصل ڪري ٿو. جيئن برقي گاڏيون وڌنديون آهن ۽ انڊسٽري 4.0 ترقي ڪندي آهي، هي سبسٽريٽ ايندڙ نسل جي پاور اليڪٽرانڪس لاءِ هڪ قابل اعتماد مادي بنياد فراهم ڪري ٿو. XKH SiC ٽيڪنالاجي جي صلاحيت کي وڌيڪ ڳولڻ لاءِ تعاون جو استقبال ڪري ٿو.
