3 انچ Dia76.2mm سيفائر ويفر 0.5mm ٿولهه سي-پلين SSP
اسان سنگل سائڊ پالش ۽ ڊبل سائڊ پالش ٿيل (آپٽيڪل ۽ ايپي-ريڊي گريڊ) ويفر مختلف رخن ۾ پيش ڪندا آهيون، يعني اي-پلين، آر-پلين، سي-پلين، ايم-پلين ۽ اين-پلين.سيفائر جي هر جهاز ۾ مختلف خاصيتون ۽ استعمال ٿين ٿا، مثال طور سي-پلين سيفائر سبسٽراٽس ليزر ڊاءڊ ۽ نيري ليڊ ايپليڪيشنز لاءِ GaN پتلي فلمن جي واڌ لاءِ وڏي پيماني تي استعمال ٿيندا آهن.r-plane substrates وڏي پيماني تي اليڪٽرانڪ silicon پتلي فلمن جي heteroepitaxial ترقي لاء استعمال ڪيو ويندو آهي.wafers مختلف سائيز ۾ موجود آهن جهڙوڪ 2"، 3"، 4"، 6"، 8"، 12" ۽ ڪسٽمر جي ضرورتن مطابق ترتيب ڏئي سگهجي ٿو.
| Sapphire wafer جي وضاحت | ٽيبل |
| کرسٽل مواد | AI203 سيفائر |
| پاڪائي | ≥99.999% |
| کرسٽل ڪلاس | Hexagonal نظام، rhomboidal طبقو 3m |
| لاٽ مسلسل | a=4.785A، c=12.991A |
| قطر | 2، 3، 4، 6، 8، 12 انچ |
| ٿلهو | 430um، 600um، 650um، 1000um، يا ٻيون ڪسٽمائيز ٿلهي موجود آھي. |
| کثافت | 3.98 g/cm3 |
| Dielectric طاقت | 4 x 105V/cm |
| پگھلڻ وارو نقطو | 2303 ° K |
| حرارتي چالکائي | 40 W/(mK) 20℃ تي |
| مٿاڇري ختم | هڪ طرف پالش، ٻه طرفا پالش (نظرياتي طور تي شفاف) |
| بصري ٽرانسميشن | ڊبل سائڊ پالش لاءِ: 86٪ |
| آپٽيڪل ٽرانسميشن جي حد | ڊبل سائڊ پالش لاءِ: 150 nm کان 6000 nm(اسپيڪٽرم ڏسڻ لاءِ هتي ڪلڪ ڪريو) |
| اورينٽيشن | الف، آر، سي، م، ن |
سيفائر ويفر پيڪيج جي حوالي سان:
1. سيفائر ويفرس نازڪ.اسان ان کي مناسب طور تي پيڪ ڪيو آهي ۽ ان کي ڪيسٽ ذريعي نازڪ ليبل ڪيو آهي.اسان نقل و حمل جي معيار کي يقيني بڻائڻ لاء بهترين ملڪي ۽ بين الاقوامي ايڪسپريس ڪمپنين ذريعي پهچايو.
2. سيفائر ويفرز حاصل ڪرڻ کان پوء، مھرباني ڪري احتياط سان سنڀاليو ۽ چيڪ ڪريو ته ڇا ٻاهرين ڪارٽون سٺي حالت ۾ آھي.احتياط سان ٻاهرين ڪارٽن کي کوليو ۽ چيڪ ڪريو ته ڇا پيڪنگ باڪس قطار ۾ آهن.انھن کي ڪڍڻ کان پھريان ھڪ تصوير ڪڍو.
3. مھرباني ڪري ويڪيوم پيڪيج کي صاف ڪمري ۾ کوليو جڏھن سيفائر ويفرز کي لاڳو ڪيو وڃي.
4. جيڪڏهن نيلم جا ذيلي ذخيرا ڪوريئر دوران خراب مليا آهن، مهرباني ڪري فوري طور تي هڪ تصوير وٺو يا هڪ وڊيو رڪارڊ ڪريو.خراب ٿيل سيفائر ويفرز کي پيڪنگنگ باڪس مان نه ڪڍو!اسان سان رابطو ڪريو فوري طور تي ۽ اسان کي چڱي طرح حل ڪنداسين.
تفصيلي خاڪو
