2inch 3inch 4inch InP epitaxial wafer substrate APD لائٽ ڊيڪٽر فار فائبر آپٽڪ ڪميونيڪيشن يا LiDAR

مختصر وضاحت:

InP epitaxial substrate APD جي پيداوار لاءِ بنيادي مواد آھي، عام طور تي ھڪڙو سيميڪنڊڪٽر مواد آھي جيڪو سبسٽريٽ تي epitaxial ترقي جي ٽيڪنالاجي ذريعي جمع ڪيو ويندو آھي. عام طور تي استعمال ٿيل مواد ۾ سلکان (سي)، گيليم آرسنائيڊ (GaAs)، گيليم نائٽرائڊ (GaN) وغيره شامل آهن، شاندار فوٽو اليڪٽرڪ ملڪيتن سان. APD photodetector هڪ خاص قسم جو photodetector آهي جيڪو استعمال ڪري ٿو برفاني ڦوٽو اليڪٽرڪ اثر جو پتو لڳائڻ جي سگنل کي وڌائڻ لاءِ. جڏهن APD تي فوٽونز واقعا، اليڪٽران-سوراخ جوڙو ٺاهيا ويندا آهن. اليڪٽرڪ فيلڊ جي عمل هيٺ انهن ڪيريئرز جي تيز رفتار وڌيڪ ڪيريئرز جي ٺهڻ جو سبب بڻجي سگهي ٿي، هڪ "برفاني اثر"، جيڪو خاص طور تي پيداوار جي موجوده کي وڌائي ٿو.
MOCvD پاران اڀري Epitaxial wafers avalanche photodetection diode ايپليڪيشنن جو مرڪز آهن. جذب پرت تيار ڪئي وئي U-InGaAs مواد جي پس منظر ڊاپنگ سان <5E14. فنڪشنل پرت استعمال ڪري سگھي ٿي InP يا InAlAslayer. InP epitaxial substrate APD جي پيداوار لاء بنيادي مواد آهي، جيڪو آپٽيڪل ڊيڪٽر جي ڪارڪردگي کي طئي ڪري ٿو. APD photodetector هڪ قسم جو اعليٰ حساسيت وارو photodetector آهي، جيڪو وڏي پئماني تي ڪميونيڪيشن، سينسنگ ۽ اميجنگ جي شعبن ۾ استعمال ٿيندو آهي.

اسان کي اي ميل موڪليو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

InP ليزر epitaxial شيٽ جي اهم خاصيتون شامل آهن

1. بينڊ گيپ جون خاصيتون: InP وٽ هڪ تنگ بينڊ گيپ آهي، جيڪو ڊگھي موج جي انفراريڊ لائيٽ جي چڪاس لاءِ موزون آهي، خاص ڪري 1.3μm کان 1.5μm جي موج جي ڊيگهه ۾.
2. آپٽيڪل ڪارڪردگي: InP epitaxial فلم ۾ سٺي آپٽيڪل ڪارڪردگي آهي، جهڙوڪ چمڪندڙ طاقت ۽ ٻاهرين مقدار جي ڪارڪردگي مختلف موج جي ڊيگهه تي. مثال طور، 480 nm تي، چمڪندڙ طاقت ۽ خارجي مقدار جي ڪارڪردگي 11.2٪ ۽ 98.8٪، ترتيب سان.
3. ڪيريئر ڊائنامڪس: InP nanoparticles (NPs) epitaxial واڌ جي دوران ڊبل ايڪسپونشنل ڊڪي رويي جي نمائش ڪن ٿا. تيز زوال واري وقت کي InGaAs پرت ۾ ڪيريئر انجيڪشن سان منسوب ڪيو ويو آهي، جڏهن ته سست زوال جو وقت InP NPs ۾ ڪيريئر جي بحالي سان لاڳاپيل آهي.
4. هاءِ گرمي پد جون خاصيتون: AlGaInAs/InP ڪوانٽم ويل مواد اعليٰ درجه حرارت تي شاندار ڪارڪردگي رکي ٿو، جيڪا مؤثر طريقي سان وهڪري جي رسي کي روڪڻ ۽ ليزر جي اعليٰ درجه حرارت جي خاصيتن کي بهتر بڻائي سگهي ٿي.
5. ٺاھڻ جو عمل: InP epitaxial sheets عام طور تي سبسٽرٽ تي پوکيا ويندا آھن ماليڪيولر بيم epitaxy (MBE) يا ڌاتو-نامياتي ڪيميائي بخار جمع (MOCVD) ٽيڪنالاجي ذريعي اعليٰ معيار جي فلمن کي حاصل ڪرڻ لاءِ.
اهي خاصيتون ٺاهيندا آهن InP ليزر epitaxial wafers ۾ اهم ايپليڪيشنون آهن آپٽيڪل فائبر ڪميونيڪيشن، ڪوانٽم ڪي ورهائڻ ۽ ريموٽ آپٽيڪل ڊڪشنري.

InP ليزر epitaxial ٽيبلٽس جي مکيه ايپليڪيشنون شامل آهن

1. Photonics: InP lasers ۽ detectors وڏي پيماني تي آپٽيڪل ڪميونيڪيشن، ڊيٽا سينٽرز، انفراريڊ اميجنگ، بايوميٽرڪس، 3D سينسنگ ۽ LiDAR ۾ استعمال ٿيندا آهن.

2. ٽيليڪميونيڪيشن: InP مواد ۾ وڏي پيماني تي سلکان تي ٻڌل ڊگھي ويڪرائيندڙ ليزر جي انضمام ۾ اهم ايپليڪيشنون آهن، خاص طور تي آپٽيڪل فائبر ڪميونيڪيشن ۾.

3. انفراريڊ ليزر: ان پي-بنياد ڪوانٽم ويل ليزرز جون ايپليڪيشنون وچ-انفرارڊ بينڊ ۾ (جهڙوڪ 4-38 مائڪرون)، بشمول گيس سينسنگ، ڌماڪي جي سڃاڻپ ۽ انفراريڊ تصويري.

4. Silicon photonics: heterogeneous integration ٽيڪنالاجي جي ذريعي، InP ليزر سلکان تي ٻڌل سبسٽرٽ ڏانهن منتقل ڪيو ويو آهي ته جيئن هڪ ملٽي فنڪشنل سلکان آپٽو اليڪٽرڪ انٽيگريشن پليٽ فارم ٺاهيو وڃي.

5. اعلي ڪارڪردگي ليزر: InP مواد اعلي ڪارڪردگي ليزر ٺاهڻ لاء استعمال ڪيا ويا آهن، جهڙوڪ InGaAsP-InP ٽرانزيسٽر ليزر 1.5 مائڪرن جي موج سان.

XKH پيش ڪري ٿو ڪسٽمائيز InP epitaxial wafers with different structures and thnesses, covering apps of a varieties such as optical communications, sensors, 4G/5G base stations, etc. XKH جون پروڊڪٽس اعلي ڪارڪردگي ۽ ڀروسي کي يقيني بڻائڻ لاءِ جديد MOCVD سامان استعمال ڪندي ٺاهيا ويا آهن. لاجسٽڪ جي لحاظ کان، XKH وٽ بين الاقوامي ذريعن جي چينلن جي وسيع رينج آھي، لچڪدار طريقي سان آرڊرن جي تعداد کي سنڀالي سگھي ٿي، ۽ قدر ۾ اضافو خدمتون مهيا ڪري سگھي ٿي جھڙوڪ ٿلهي ڪرڻ، سيگمينٽيشن، وغيره. معيار ۽ پهچائڻ وقت. اچڻ کان پوء، گراهڪ جامع ٽيڪنيڪل سپورٽ ۽ بعد ۾ سيلز سروس حاصل ڪري سگھن ٿا انهي کي يقيني بڻائڻ لاء ته پيداوار آسانيء سان استعمال ۾ رکيل آهي.