خبرون
-
LiTaO3 Wafer PIC - گھٽ-نقصان ليتيم ٽانٽيليٽ-آن-انسوليٽر ويو گائيڊ آن-چپ غير لائنر فوٽوونڪس لاءِ
خلاصو: اسان هڪ 1550 nm انسوليٽر تي ٻڌل ليٿيم ٽانٽيليٽ ويگ گائيڊ تيار ڪيو آهي 0.28 dB/cm جي نقصان سان ۽ 1.1 ملين جي هڪ رنگ گونج ڪندڙ معيار جو عنصر. χ (3) جي درخواست غير لڪير فوٽونڪس ۾ غير لڪيريت جو اڀياس ڪيو ويو آهي. lithium niobate جا فائدا ...وڌيڪ پڙهو -
XKH- علم شيئرنگ- ويفر ڊائسنگ ٽيڪنالاجي ڇا آهي؟
Wafer dicing ٽيڪنالاجي، هڪ نازڪ قدم جي طور تي سيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار جي عمل ۾، سڌو سنئون چپ جي ڪارڪردگي، پيداوار، ۽ پيداوار جي خرچن سان ڳنڍيل آهي. #01 پس منظر ۽ وافر ڊائسنگ جو اھميت 1.1 ويفر ڊائسنگ جي وصفوڌيڪ پڙهو -
ٿلهي فلم ليتيم ٽينٽليٽ (LTOI): تيز رفتار ماڊلٽرز لاءِ ايندڙ اسٽار مواد؟
ٿلهي فلم ليتيم ٽينٽيليٽ (LTOI) مواد مربوط آپٽڪس فيلڊ ۾ هڪ اهم نئين قوت طور اڀري رهيو آهي. هن سال، LTOI modulators تي ڪيترائي اعلي سطحي ڪم شايع ڪيا ويا آهن، اعلي معيار جي LTOI ويفرز سان گڏ پروفيسر زين اوو پاران شنگھائي انسائيڪلوپيڊيا پاران مهيا ڪيل ...وڌيڪ پڙهو -
ويفر جي پيداوار ۾ ايس پي سي سسٽم جي گہری سمجھ
SPC (Statistical Process Control) ويفر جي پيداوار جي عمل ۾ ھڪ اھم اوزار آھي، جنھن کي مانيٽر ڪرڻ، ڪنٽرول ڪرڻ، ۽ پيداوار ۾ مختلف مرحلن جي استحڪام کي بھتر ڪرڻ لاءِ استعمال ڪيو ويندو آھي. 1. SPC سسٽم جو جائزو SPC ھڪڙو طريقو آھي جيڪو استعمال ڪري ٿو اسٽي...وڌيڪ پڙهو -
epitaxy هڪ ويفر سبسٽرٽ تي ڇو ڪيو ويندو آهي؟
سلکان ويفر سبسٽرٽ تي سلڪون ايٽم جي اضافي پرت کي وڌائڻ جا ڪيترائي فائدا آهن: CMOS سلکان پروسيس ۾، ويفر سبسٽرٽ تي ايپيٽيڪسيل گروتھ (EPI) هڪ نازڪ عمل قدم آهي. 1، ڪرسٽل جي معيار کي بهتر ڪرڻ ...وڌيڪ پڙهو -
ويفر جي صفائي لاءِ اصول، عمل، طريقا ۽ سامان
ويٽ ڪليننگ (ويٽ ڪلين) سيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار جي عمل ۾ نازڪ قدمن مان هڪ آهي، جنهن جو مقصد ويفر جي مٿاڇري مان مختلف آلودگي کي هٽائڻ آهي ته جيئن پوءِ ايندڙ عمل جا مرحلا صاف مٿاڇري تي سرانجام ڏئي سگھجن. ...وڌيڪ پڙهو -
ڪرسٽل جهازن ۽ ڪرسٽل جي ورهاڱي جي وچ ۾ تعلق.
ڪرسٽل جهاز ۽ ڪرسٽل اورينٽيشن ڪرسٽل گرافي ۾ ٻه بنيادي تصور آهن، سلکان تي ٻڌل انٽيگريٽيڊ سرڪٽ ٽيڪنالاجي ۾ ڪرسٽل ڍانچي سان ويجهي سان لاڳاپيل آهن. 1. کرسٽل اورينٽيشن جي تعريف ۽ خاصيتون ڪرسٽل اورينٽيشن هڪ خاص هدايت جي نمائندگي ڪري ٿي...وڌيڪ پڙهو -
TGV تي شيشي جي ذريعي (TGV) ۽ سلڪون ذريعي ذريعي، TSV (TSV) پروسيس جا ڪهڙا فائدا آهن؟
TGV تي شيشي جي ذريعي (TGV) ۽ سلڪون وييا (TSV) جي ذريعي پروسيس جا فائدا بنيادي طور تي آهن: (1) شاندار تيز فريڪوئنسي برقي خاصيتون. شيشي جو مواد هڪ انسوليٽر مواد آهي، ڊائي اليڪٽرڪ مستقل صرف سلکان مواد جي 1/3 بابت آهي، ۽ نقصان جو عنصر 2-...وڌيڪ پڙهو -
Conductive ۽ نيم-Insulated silicon carbide substrate اپليڪيشن
silicon carbide substrate نيم-انسوليٽنگ قسم ۽ conductive قسم ۾ ورهايل آهي. في الحال، نيم-موصل silicon carbide substrate مصنوعات جي مکيه وهڪرو specification 4 انچ آهي. conductive silicon carbide ما ۾ ...وڌيڪ پڙهو -
ڇا مختلف ڪرسٽل اورينٽيشن سان سفائر ويفرز جي ايپليڪيشن ۾ پڻ اختلاف آهن؟
سيفائر ايلومينا جو هڪ واحد ڪرسٽل آهي، جيڪو ٽن طرفي ڪرسٽل سسٽم سان تعلق رکي ٿو، هيڪساگونل ڍانچي، ان جو ڪرسٽل ڍانچو ٽن آڪسيجن ايٽمس ۽ ڪوولنٽ بانڊ جي قسم ۾ ٻه ايلومينيم ايٽمس تي مشتمل آهي، تمام ويجهڙائي سان ترتيب ڏنل آهي، مضبوط بانڊنگ زنجير ۽ لٽيس توانائي سان، جڏهن ته کرسٽل انٽي...وڌيڪ پڙهو -
SiC conductive substrate ۽ نيم موصل substrate جي وچ ۾ ڇا فرق آهي؟
SiC silicon carbide ڊوائيس سلکان ڪاربائڊ مان ٺهيل ڊوائيس ڏانهن اشارو ڪري ٿو جيئن خام مال. مختلف مزاحمتي ملڪيتن جي مطابق، ان کي ورهايو ويو آهي conductive silicon carbide power devices and semi-insulated silicon carbide RF ڊوائيسز. مکيه ڊوائيس فارم ۽ ...وڌيڪ پڙهو -
هڪ آرٽيڪل توهان کي TGV جي ماسٽر جي اڳواڻي ڪري ٿو
TGV ڇا آهي؟ TGV (TGV-Glass via)، شيشي جي سبسٽريٽ تي سوراخن جي ذريعي ٺاهڻ جي هڪ ٽيڪنالاجي، سادو اصطلاحن ۾، TGV هڪ اعليٰ عمارت آهي جيڪا شيشي تي مربوط سرڪٽ ٺاهڻ لاءِ شيشي کي مٿي ۽ هيٺ سان ڇڪي، ڀريندي ۽ ڳنڍي ٿي. فل...وڌيڪ پڙهو